Сведения о характере деформации частично кристаллических полимеров появились в 30-х годах настоящего столетия. К числу первых можно отнести работу В. Карозерса, изучавшего механические свойства полиэфиров. Несколько позже С. Баном описано деформирование некоторых кристаллических полимеров и отмечены отдельные закономерности этого процесса. В последние годы Е. В. Кувшинский и В. П. Володин с сотрудниками опубликовали ряд работ посвященных изучению деформационных свойств кристаллических полимеров на примере полиолефинов.

Было показано, что одноосное растяжение кристаллических полимеров в условиях холодной вытяжки происходит в четыре стадии: 1) однородное растяжение; 2) образование в образце шейки; 3) распространение шейки по образцу; 4) растяжение образца, полностью перешедшего в шейку. На участке однородного растяжения текучесть отсутствовала на что указывает обратимость деформации после разгрузки.

Можно полагать, что в начале растяжения развиваются упругие и высокоэластические деформации, причем первые в результате накопления релаксационных изменений в значительной мере замещаются высокоэластическими, имеющими кинетическую природу. Также показано, что растяжение полиэтилена связано с прохождением нелинейных релаксационных процессов, ускоряющихся экспоненциально при возрастании напряжения. При использовании кристаллических полимеров в качестве конструкционных материалов необходимо знать их упругие, прочностные и деформативные характеристики в условиях, когда еще сохраняется первоначальная структура материала.

Поскольку параметры диаграммы растяжения зависят от скорости деформирования и температуры, то характеристики конструкционных материалов могут быть получены лишь на основе серии диаграмм растяжения, определенных в широком диапазоне скоростей деформации и температур. При такой постановке задачи представляет интерес лишь первая стадия — однородное деформированное состояние. Следует •заметить, что при определении диаграмм растяжения кристаллических полимеров участок однородного деформирования должен быть хорошо разрешен.

Это обусловливает высокие требования к применяемой аппаратуре и методике испытания.