Ионы различного сорта образуют различные центры. Так, Nd связан с вакансией кислорода в единый комплекс. Dy также образует преимущественно комплексы с компенсирующими центрами. Ег и Yb образуют оба типа центров, примерно в равных количествах, a Gd преимущественно находится в решетке без локальной компенсации.

По-видимому, склонность к образованию того или иного типа центров обусловлена электронной конфигурацией иона. Преобладание того или иного типа центров определяет такие важные свойства, как соотношение между электронной и анионной составляющими тока, энергию активации и величину коэффициента диффузии кислорода. Границей электролитического восстановления Се02 является граница существования ос-фазы.

В восстановленных кристаллах электроны проводимости локализованы в вакансиях кислорода, переход ионов церия в трехвалентное состояние не обнаружен. Мы не обнаружили также ионов Рг4+, тогда как ионы ТЬ4+ в наших кристаллах присутствовали. Очевидно, в структуре «-фазы конфигурация 4/1 не осуществляется.

Ионы Рг4+ являются донорами электронов, заселяющих вакансии кислорода. Подобрав донорную примесь, мы получили монокристаллы и керамические образцы Се02, обладающие чисто электронной проводимостью, устойчивой в воздушной атмосфере до 1500°. Обобщение результатов исследования трех окислов сводится к следующему.

1) Свойства окислов при степени очистки, не превышающей 99.9%, определяются сортом преобладающей примеси и типом компенсации ее заряда. 2) V205 образует с примесями одновалентных металлов соединения типа бронз MxV205. Эти соединения устойчивы при нагревании в окислительной и нейтральной атмосфере.

Компенсация заряда металла осуществляется эквивалентным числом электронов в узкой 3й-зоне, которые являются носителями тока. Постоянное число 3й-электронов определяет стабильность электропроводности V205.