В наиболее благоприятных условиях для роста в качестве зародышей будущих кристаллов должны находиться блоки с упорядоченной структурой, оказавшиеся на поверхности коллоидных частичек геля или на поверхности раздела твердой и жидкой фаз. Рост таких зародышей может происходить по механизму поликонденсации за счет алюмосиликатных ионов, находящихся в жидкой фазе, при условии разрушения их гидратной оболочки и пленки адсорбированной воды на поверхности самих частиц геля, требующего определенной энергии активации. Это достигается при нагревании геля. Существенно, что найденная величина энергии активации роста кристаллов оказалась близкой к энергии двух водородных связей, с помощью которых каждая молекула воды удерживается на паре гидроксилов алюмосиликатных ионов или гидроксилов поверхности частиц. Начавшийся при нагревании гелей рост зародышей, находящихся на поверхности частиц геля, за счет алюмосиликатных ионов раствора должен приводить к уменьшению концентрации последних в жидкой фазе и к смещению равновесия между твердой и жидкой фазами геля, которое восстанавливается путем растворения аморфной части твердой фазы.

В результате частичного растворения на поверхности частиц скелета геля обнажаются новые центры кристаллизации, находившиеся ранее в толще частиц. Увеличение числа растущих центров кристаллизации приводит в свою очередь к большему расходу алюмосиликатных ионов из раствора на рост зародышей кристаллов, а восстановление равновесия твердая фаза