Метод образования тонкопленочных покрытий из растворов разработан докт. техн. наук А. И. Борисенко в 1958 г. Впервые в мире, на два года раньше, чем в США, разработан простой и высокопроизводительный метод создания электронно-дырочных переходов в полупроводниковых материалах. Это достигнуто путем образования стекловидных пленок, например из кремнеорганических растворов, содержащих примеси — диффузанты.

Предложенный метод имеет очень важное значение для всех предприятий электронной промышленности, так как позволяет создавать быстродействующие электронные приборы. В этих работах, проводимых под руководством А. И. Борисенко, участвовали Н. Е. Прихидъко, Л. В. Николаева, И. В. Гусева, В. Н. Бабушкин, Л. Ф. Чепик и др. Осуществленные разработки оказались столь важными для пленочной микроэлектроники, что для их развития по решению Министерства высшего и среднего специального образования и Президиума Академии наук в Институте химии силикатов в 1967 г. организована базовая кафедра химии и технологии новых неорганических материалов, на которой обучаются студенты старших курсов ЛТИ им. Ленсовета. Таким образом, осуществляется самая непосредственная связь науки с производством.